多孔硅的I-V特性及NO2气敏特性研究

• 作者: 刘博 孙风云 孙鹏 胡明 陈鹏
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅 孔隙率 I-V特性 NO2气敏特性
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 生物化学类传感器
• 页码范围: 316-319
• 页数: 4页
• 分类号: TP212.2
• 字数: 2032字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2009.03.005

摘要

采用双槽电化学腐蚀法在p+单晶硅表面制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成Pt薄膜电极,制备出多孔硅气敏元件样品.利用SEM技术分析多孔硅的表面形貌,研究了腐蚀条件对多孔硅的孔隙率、横向I-V特性及低浓度NO2气敏特性的影响.结果表明,多孔硅的横向I-V特性表现出非整流的欧姆接触;多孔硅的孔隙率及其对低浓度NO2的灵敏度均随腐蚀电流密度的增大而增加.当腐蚀电流密度为90 mA/cm2,腐蚀时间为30 min时,所得多孔硅气敏元件对体积分数为200×10-9的NO2的灵敏度可达到5.25,响应时间与恢复时间约分别为14 min与10 min.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈鹏	天津大学电子信息工程学院	33	223	8.0	13.0
2	胡明	天津大学电子信息工程学院	139	1336	19.0	28.0
3	刘博	天津大学电子信息工程学院	27	243	9.0	15.0
4	孙鹏	天津大学电子信息工程学院	12	165	7.0	12.0
5	孙风云	天津大学电子信息工程学院	1	7	1.0	1.0