PLZT铁电薄膜的制备及其性能

• 作者: 余大书 焦永恒
• 来源期刊: 天津师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: Sol-Gel法 PLZT铁电薄膜 介电性能
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 页码范围: 32-35
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2797字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-1114.2009.01.009

摘要

在温度为97℃,水浴回流10 h的条件下,用旋涂法在Si(100)基底上,通过改变溶胶的滴加量、转速、升温速率、煅烧温度及保温时间,制备出性能良好的PLZT铁电薄膜,并用精密阻抗分析仪(PIA)对其介电性能进行测试,研究发现:PLZT铁电薄膜未被击穿时,随着测试频率,的提高电容逐渐减小,而介电损耗会出现突变,在测试频率达到1 MHz时,介电损耗一次突变;当PLZT铁电薄膜被击穿时,随着测试频率f的升高,介电损耗会逐渐增大,在外场频率达到1MHz时开始减小,当膜被击穿后,电感将不可恢复,而材料的电容具有恢复特征,随着测试频率的升高,电容在逐渐减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余大书	天津师范大学物理与电子信息学院	25	66	4.0	6.0
2	焦永恒	天津师范大学物理与电子信息学院	4	11	2.0	3.0