铅过量PLZT铁电薄膜的制备及其电学性质研究

• 作者: 侯识华 宋世庚 郑毓峰 马远新
• 来源期刊: 材料科学与工程
• 学科: 物理学
• 关键词: Sol-Gel法 PLZT 铁电薄膜 铅过量 电 学性质
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 43-47
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 4783字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2001.03.008

摘要

采用Sol-Gel法,在Pt/TiO2/Si基片上制备了具有不同铅过量(0-20mol%)的PLZT铁电薄膜.分析了薄膜的晶相结构,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响. 结果表明,各薄膜均具有钙钛矿型结构,且各薄膜均呈(110)择优取向.PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能随铅过量的变化而改变.铅过量为10mol%的薄膜具有最佳的的介电性能和铁电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑毓峰	新疆大学物理系	56	610	13.0	23.0
2	马远新		18	92	5.0	9.0
3	侯识华	中国科学院新疆物理研究所	12	124	5.0	11.0
4	宋世庚	中国科学院新疆物理研究所	11	263	10.0	11.0