一种碳化硅外延层质量评估新技术

• 作者: 张义门 张玉明 马仲发 马格林
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅 外延层 质量评估 红外镜面反射谱
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 页码范围: 37-43,96
• 分类号: O472
• 字数: 4970字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2011.06.006

摘要

由于当前多种技术同时被用于碳化硅( SiC)外延层质量表征,造成外延层和器件研制成本高、时间长、易损伤、不能在线检测等,限制了SiC外延材料和器件的发展.用红外镜面反射谱、拉曼散射谱、X射线衍射、原子力显微镜和X射线光电子能谱等对4H-SiC外延层质量进行了测试.测试结果的分析和 比较表明,红外镜面反射谱不但能提供拉曼散射谱、X射线衍射、原子力显微镜和X射线光电子能谱等测试的所有质量参数,而且其解析结果与其他几种技术的解析结果一致.因此,红外镜面反射谱可以作为一种低成本、快捷、无损、可在线的碳化硅外延层质量监测技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	马仲发	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	6	56	4.0	6.0
4	马格林	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	2	92	2.0	2.0