纳米硅/晶体硅异质结太阳电池的优化设计

• 作者: 汪礼胜 祝霁沼 陈凤翔
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 氢化纳米碳化硅 异质结太阳电池 优化设计 AFORS-HET
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 478-483
• 分类号: TM914.4
• 语种: 中文

摘要

采用AFORS-HET软件对TCO/nc-SiC∶H（p）/nc-Si∶H（i）/c-Si（n）/nc-Si∶H（n＋）/Al异质结太阳电池进行了模拟,分别讨论了窗口层、本征层、界面态和背场对太阳电池性能参数的影响。模拟结果表明,厚度尽可能薄的p层能减少入射光及光生载流子在窗口层的损失,对应最佳的窗口层禁带宽度为1.95eV。本征层的引入主要是钝化异质结界面,降低界面态的影响,提高电池转换效率。合理的背场设计可提高电池的转换效率1.7个百分点左右,此时最佳的异质结太阳电池的性能参数为：开路电压Voc=696.1mV,短路电流密度Jsc=38.49mA/cm^2,填充因子FF=83.52%,转换效率η=22.38%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈凤翔	武汉理工大学理学院物理科学与技术系	17	70	4.0	8.0
2	汪礼胜	武汉理工大学理学院物理科学与技术系	15	63	4.0	7.0
3	祝霁沼	武汉理工大学理学院物理科学与技术系	1	4	1.0	1.0