利用Kelvin探针力显微镜研究纳米尺度下n-AlGaN/GaN薄膜的表面电荷性质

• 作者: 杨文胜 王凌凌 王德军 谢腾峰
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: AlGaN/GaN异质结 表面电势 Kelvin探针力显微镜 光生电荷转移
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 139-142
• 分类号: O649.2|O614
• 字数: 1586字
• 语种: 中文

摘要

利用真空Kelvin探针力显微镜(KFM)研究了纳米尺度下n-AlGaN/GaN薄膜的表面电荷性质并进行了定量测量.结果表明,n-AlGaN/GaN薄膜的表面位错均为电活性的受主型表面态,所捕获电荷的区域远远大于表面位错的大小,其表面电势与GaN薄膜表面电势的最大差值达到590 mV.在光照下,n-AlGaN/GaN薄膜的表面电荷发生了明显的光生电荷重新分布现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢腾峰	吉林大学化学学院	15	173	6.0	13.0
2	王德军	吉林大学化学学院	69	962	14.0	30.0
3	杨文胜	吉林大学化学学院	38	451	12.0	20.0
4	王凌凌	吉林大学化学学院	5	39	3.0	5.0