均匀掺杂和梯度掺杂结构GaN光电阴极性能对比研究

• 作者: 付小倩 常本康 张俊举 徐源 李飙 杜晓晴 杜玉杰 王晓晖
• 来源期刊: 光谱学与光谱分析
• 学科: 工学
• 关键词: 负电子亲和势 氮化镓 均匀掺杂 梯度掺杂 光电阴极 场助 量子效率
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 页码范围: 2036-2039
• 分类号: TN204
• 字数: 1973字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3964/j.issn.1000-0593(2011)08-2036-04

摘要

高温退火与Cs/O激活是形成负电子亲和势GaN光电阴极的外来诱因,GaN材料本身性能是影响阴极形成的内在因素.针对均匀掺杂和梯度掺杂GaN光电阴极在结构上的不同,结合阴极在激活过程中光电流的变化规律和激活后的量子产额,分析了均匀掺杂和梯度掺杂负电子亲和势GaN光电阴极性能的异同.实验表明,与均匀掺杂结构阴极相比,梯度掺杂结构阴极在激活过程中光电流增速较慢,激活时间相对较长,激活成功后量子效率较高.采用场助光电阴极发射模型可以很好地解释二者间存在的差异,梯度掺杂结构中内建电场的存在增加了电子向阴极表面的漂移运动,提高了电子到达阴极表面的几率.