大电流场致发射电子源的研究

• 作者: 张晓兵 王保平 雷威
• 来源期刊: 新型工业化
• 关键词: 物理电子学 场致发射 大电流 附着力
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 设计与研究
• 页码范围: 73-78
• 页数: 6页
• 字数: 2960字
• 语种: 中文

摘要

与普通热阴极相比较，场致发射电子源利用高场强下的隧穿效应产生电子发射，不需要高温加热，有利于器件的小型化和集成化，在平板显示器、微波放大器和 X 射线管等电子器件中有很好的应用前景。在微波放大器、X射线管和离子推进器等电子器件中，通常要求较大的阴极发射面积（几平方毫米）和较大的发射电流（几十毫安）。现有的场致发射电子源，由于诸多因素的限制，其发射电流远不能达到器件的要求。本文深入探讨了影响场发射电流的因素，采用新的发射体结构，增强了发射体与基底的附着能力，有效地提高了场发射电子源的电流发射能力，从直径为1mm的发射面积上获得了43.6 mA的发射电流。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王保平	东南大学电子科学与工程学院	70	304	9.0	13.0
2	雷威	东南大学电子科学与工程学院	89	538	12.0	18.0
3	张晓兵	东南大学电子科学与工程学院	87	746	13.0	24.0