一个简单的65nm MOSFET失配模型

• 作者: 吕伟锋 孙玲玲
• 来源期刊: 计算机辅助设计与图形学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 失配 MOS模型 工艺波动 纳米器件
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: VLSI设计与测试及电子设计自动化
• 页码范围: 1280-1284
• 分类号: TN386
• 字数: 3245字
• 语种: 中文

摘要

MOSFET的精确匹配对模拟和混合集成电路的性能至关重要,随着器件特征尺寸减小至纳米,将MOSFET失配模型进行改良以适应新工艺显得十分迫切.文中应用改进的AIPHA律平均漏电流模型拟合65 nm器件的HSPICE仿真数据,并提取了相关工艺参数,该模型与BSIM4模型数据相比平均相对误差为1.70%,相对标准差8.26%;再利用该模型并结合偏差传递公式实现了一个简单的65nm工艺MOS器件电流失配标准差计算模型.实验结果显示,该模型与HSPICE蒙特-卡罗仿真数据相比平均相对误差为7.69%,相对标准差为10.49%.这表明文中模型简单、有效,又能保证精度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙玲玲	杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室	68	213	8.0	9.0
2	吕伟锋	杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室	25	71	5.0	7.0