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摘要:
MOSFET的精确匹配对模拟和混合集成电路的性能至关重要,随着器件特征尺寸减小至纳米,将MOSFET失配模型进行改良以适应新工艺显得十分迫切.文中应用改进的AIPHA律平均漏电流模型拟合65 nm器件的HSPICE仿真数据,并提取了相关工艺参数,该模型与BSIM4模型数据相比平均相对误差为1.70%,相对标准差8.26%;再利用该模型并结合偏差传递公式实现了一个简单的65nm工艺MOS器件电流失配标准差计算模型.实验结果显示,该模型与HSPICE蒙特-卡罗仿真数据相比平均相对误差为7.69%,相对标准差为10.49%.这表明文中模型简单、有效,又能保证精度.
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65nm n沟MOSFET
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内容分析
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文献信息
篇名 一个简单的65nm MOSFET失配模型
来源期刊 计算机辅助设计与图形学学报 学科 工学
关键词 失配 MOS模型 工艺波动 纳米器件
年,卷(期) 2011,(7) 所属期刊栏目 VLSI设计与测试及电子设计自动化
研究方向 页码范围 1280-1284
页数 分类号 TN386
字数 3245字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 孙玲玲 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室 68 213 8.0 9.0
2 吕伟锋 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室 25 71 5.0 7.0
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失配
MOS模型
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研究起点
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期刊影响力
计算机辅助设计与图形学学报
月刊
1003-9775
11-2925/TP
大16开
北京2704信箱
82-456
1989
chi
出版文献量(篇)
6095
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15
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