SiGe HBT非准静态小信号等效电路的参数提取

• 作者: 王军 钮维
• 来源期刊: 通信技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT 小信号模型 参数提取 非准静态
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 其他
• 页码范围: 170-171,174
• 分类号: TN322+.8
• 字数: 1684字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0802.2011.04.058

摘要

提出了一种硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)非准静态效应的小信号等效电路模型的参数提取方法.整个参数提取过程建立在由非准态效应的小信号等效电路推导出的一系列泰勒级数解析公式并结合参数直接法,该方法依赖于测量的S参数,不使用任何的数值优化法,参数提取结果使用CAD仿真验证.结果表明该参数提取方法简单易行,较为精确,该方法能够用到不同工艺SiGe HBT参数提取.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钮维	西南科技大学信息工程学院	2	3	1.0	1.0
2	王军	西南科技大学信息工程学院	47	152	6.0	9.0