高压处理对纳米碳化硅形貌的影响

• 作者: 王禧艳 田旭 陈丽英 高文丽
• 来源期刊: 机电工程技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高压 纳米碳化硅 粒径
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 80-83
• 分类号: TQ13
• 字数: 1852字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9492.2011.03.024

摘要

纳米科学技术是21世纪的三大科学技术之一,纳米半导体的性质就特别引人瞩目.介绍了纳米碳化硅在冷高压条件下的表面特性以及晶体在透射电镜下的微观结构.结果表明,晶体粒径随压力的增大而增大,纳米碳化硅的致密性得到提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高文丽	武汉理工大学理学院	3	0	0.0	0.0
2	田旭	武汉理工大学理学院	24	57	4.0	7.0
3	陈丽英	武汉理工大学理学院	7	21	3.0	4.0
4	王禧艳	武汉理工大学理学院	3	0	0.0	0.0