薄膜后栅型SnO_2场发射显示器的制备及性能研究

• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光电子学 SnO2 薄膜后栅 场发射 模拟 丝网印刷
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 页码范围: 247-252
• 页数: 6页
• 分类号: O462.4
• 语种: 中文

摘要

利用光刻、阳极氧化和剥离技术在玻璃基底制备薄膜后栅型场发射阵列,采用丝网印刷技术将一维SnO2纳米发射材料转移至后栅结构的阴极电极上,借助光学显微镜和扫描电镜观测薄膜后栅型场发射阴极阵列,利用ANSYS软件模拟了不同条件下阴极电极附近电子运动轨迹.结果表明,一维SnO2纳米线在阴极电极衬底上分布均匀,电子束斑随着阳压的增大而逐渐减小,随栅压的增加而变大.将阴极板与阳极荧光板制成了5 inch(1 inch=25.4 mm)单色薄膜后栅型结构场致发射显示器并对其进行了场发射性能测试.实验表明,在栅压和阳压分别为140 V和2000 V,阴极和阳极的距离为1100μm时,薄膜后栅型SnO2场致发射显示器能实现全屏点亮,其器件的最大阳极电流为232 μA,峰值亮度为270 cd/m2,稳定发射400 min,发射电流无明显衰减,表明器件场发射性能良好,具有潜在的应用前景.