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摘要:
通过对ISFET敏感机理的分析,根据表面基模型,建立了悬浮栅结构ISFET器件的HSPICE行为模型,并对其静态输出特性,转移特性,以及pH值与界面势的关系进行了仿真,仿真结果表明:该模型与ISFET的理论和实验数据吻合较好.为ISFET/REFET差分结构集成传感器芯片设计提供了重要的理论参考价值.
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文献信息
篇名 悬浮栅结构ISFET的HSPICE仿真
来源期刊 传感器与微系统 学科 工学
关键词 离子敏场效应晶体管 HSPICE模型 静态仿真
年,卷(期) 2011,(5) 所属期刊栏目 研究与探讨
研究方向 页码范围 5-7
页数 分类号 TN386
字数 1296字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-9787.2011.05.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 董惠 西安建筑科技大学信息与控制工程学院 29 155 6.0 11.0
2 刘洋 西安建筑科技大学信息与控制工程学院 25 108 6.0 9.0
3 卫铭斐 西安建筑科技大学信息与控制工程学院 29 102 5.0 9.0
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研究主题发展历程
节点文献
离子敏场效应晶体管
HSPICE模型
静态仿真
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
传感器与微系统
月刊
1000-9787
23-1537/TN
大16开
哈尔滨市南岗区一曼街29号
14-203
1982
chi
出版文献量(篇)
9750
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43
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