SiC CMOS OPAMP高温模型和Hspice仿真

• 作者: 刘莉 杨银堂
• 来源期刊: 西南交通大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC CMOS OPAMP 高温模型 Hspice仿真
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 278-283
• 页数: 6页
• 分类号: TN4
• 字数: 4260字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-2724.2010.02.020

摘要

为研制具有高温稳定性的SiC CMOS(complementary metal.oxide-semiconductor)OPAMP(operationalamplifier),对PMOST(P-type metal-oxide-semiconductor tramistor)输入标准6H-SiC CMOS两级运算放大器的高温等效电路模型进行了推导,并对电路进行了Hspice仿真.仿真结果表明,在SiC MOS器件中,因受SiC/SiO_2 界面导带附近高界面态密度的影响,阈值电压随温度的变化并不像Si MOS器件那样呈线性变化,其沟道有效迁移率也并不与温度的-1.5次方成正比.此外,SiC MOS器件的沟道迁移率低,导致其跨导比相同尺寸下的si器件的低,所以其开环增益也小于相同结构和尺寸的Si OPAMP.虽然标准的OPAMP单元对Si器件来说具有温度稳定性,但对SiC基材料来说需进一步修正.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	刘莉	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	14	69	4.0	7.0