高频电容器充电电源绝缘栅双极晶体管吸收电路

• 作者: 严萍 邢达 高迎慧
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 电容器充电电源 吸收电路 尖峰电压 绝缘栅双极晶体管 逆变器 高频电源
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 脉冲功率技术
• 页码范围: 239-243
• 分类号: TN624
• 字数: 1900字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20112301.0239

摘要

高频化是提升电源功率密度的有效方法.为了保护高频电容器充电电源中的开关器件,以申联谐振式电容器充电电源为基础,研究了绝缘栅双极晶体管(IGBT)尖峰电压的产生机理及影响因素.介绍了几种抑制尖峰电压的方法,着重分析了IGBT吸收电路的基本原理,并进行了参数设计.结合仿真软件,对吸收电路的参数进行了优化,将仿真结果和40 kW,50 kH:电容器充电电源样机的实验结果进行对比,验证了提出方案的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严萍	中国科学院电工研究所	191	2402	27.0	36.0
2	高迎慧	中国科学院电工研究所	21	173	8.0	12.0
3	邢达	中国科学院电工研究所	1	10	1.0	1.0