2D C/SiC复合材料与Mo的界面反应研究

• 作者: 冯鑫 张立同 成来飞
• 来源期刊: 热加工工艺
• 学科: 工学
• 关键词: 2DC/SiC Mo 反应偶 界面反应 扩散路径
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 复合材料
• 页码范围: 80-83
• 分类号: TB332
• 字数: 3014字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3814.2011.10.023

摘要

研究了在1700℃、Ar气氛下2D C/SiC-Mo反应偶的界面化学反应,利用XRD、EDS和SEM分析了反应界面的组成和微结构,讨论了界面反应机理;分析了反应偶材料热膨胀失配对界面残余应力的影响.结果表明:界面反应产物主要为Mo<,2>C、Mo<,5>Si3和Mo<,5>Si<,3>C,扩散路径可概括为Mo/Mo<,2>C/Mo<,5>Si/Mo<,5>Si<,3>C/SiC;界面化学反应主要由元素的扩散控制,计算得出了在1700℃的扩散反应速率常数为1.05μm<'2>/s;反应偶两种材料热膨胀系数的失配导致较大残余应力的产生,从而使反应界面在冷却后脱开.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	成来飞	西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室	259	2656	22.0	40.0
2	张立同	西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室	248	2867	24.0	42.0
3	冯鑫	西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室	1	0	0.0	0.0