高性能SRAM的设计与实现

• 作者: 吴耀辉 梁丰 胡涣章 蔡宇
• 来源期刊: 计算机应用与软件
• 学科: 工学
• 关键词: SRAM Block ECC 灵敏放大器
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 应用技术与研究
• 页码范围: 239-241
• 分类号: TP333
• 字数: 2770字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-386X.2011.06.070

摘要

以延时和功耗为指标,对64KB SRAM进行了整体设计和实现.把解码器中传统的CMOS静态门修改成SCL和预充电门,提高了解码器速度;提出64∶72的ECC编码方案,减少了电路尺寸和单元数;通过电容副本列产生灵敏放大器使能信号,提高了系统的灵活性.通过TT晶体管仿真,设计的SRAM延时是653.7ps,功耗是11.3mw.与主流设计方案相比,延时得到了明显的改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴耀辉	浙江万里学院电子信息学院	17	37	2.0	5.0
2	胡涣章	浙江万里学院电子信息学院	1	2	1.0	1.0
3	梁丰	浙江万里学院电子信息学院	36	72	5.0	7.0
4	蔡宇		3	2	1.0	1.0