InAs单量子点中级联辐射光子的关联测量

• 作者: 倪海桥 孙宝权 常秀英 李园 牛智川 窦秀明
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InAs单量子点 单、双激子 荧光光谱 级联辐射
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 693-697
• 分类号: O471.1
• 语种: 中文

摘要

利用分子束外延生长InAs单量子点样品,温度为5 K时,测量了单量子点中单、双激子自发辐射的荧光(PL)光谱.研究了单、双激子发光强度随激发功率的变化及对应发光峰的偏振特性和精细结构劈裂.基于HanburyBrown Twiss(HBT)实验,测量了单、双激子间发光光谱的关联函数,证实了其发光过程为级联发射过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙宝权	中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室	20	17	2.0	3.0
2	窦秀明	中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室	13	37	4.0	5.0
3	牛智川	中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室	45	124	5.0	8.0
4	倪海桥	中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室	14	8	1.0	1.0
5	李园	中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室	10	207	4.0	10.0
6	常秀英	中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室	3	3	1.0	1.0