晶体硅缺陷的腐蚀及表征

• 作者: 刘淑坤 孙宁宁 李占良
• 来源期刊: 中国石油和化工标准与质量
• 学科: 物理学
• 关键词: 晶体硅硅片 化学抛光、腐蚀 共聚焦显微镜 缺陷
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 化工技术
• 页码范围: 43,48
• 分类号: O77
• 字数: 1364字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-4076.2011.08.027

摘要

对太阳电池用晶硅片的缺陷表征,目前大都采周厚1mm-3mm的片子进行测试研究,为了与当前批量生产晶硅片相兼容,我们使用常规生产的硅片(厚度180μ m-200um)进行分析测试.文章主要论述了对180μ m-200um厚的常规生产晶硅片的化学抛光、化学腐蚀的实验方法及采用共聚焦显微镜方法进行观察和表征晶体硅缺陷的方法及内容.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘淑坤		1	1	1.0	1.0
2	李占良		1	1	1.0	1.0
3	孙宁宁		1	1	1.0	1.0