GaAs导带中电子自旋极化的能量演化

• 作者: 滕利华 牟丽君
• 来源期刊: 科学技术与工程
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子初始自旋极化度 带隙重整化效应 费米分布 GaAs
• 年，卷（期）: 2011,（32）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 7884-7887
• 分类号: O471.1
• 字数: 2583字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-1815.2011.32.009

摘要

考虑自旋极化依赖的带隙重整化效应,分别计算了常温与10 K的低温下GaAs导带中光注入电子自旋极化度的能量演化.计算过程中假设右旋圆偏振光激发,载流子浓度为2×1017 cm-3.发现常温下电子初始自旋极化度随过超能量的增大而增大,并非为通常认为的0.5.而在低温下,导带底附近电子初始自旋极化度几乎为0,电子初始自旋极化度也随过超能量的增大而增大,高能级上可以获得100％的电子初始自旋极化度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	滕利华	青岛科技大学数理学院	9	7	2.0	2.0
2	牟丽君	青岛科技大学数理学院	5	0	0.0	0.0