掺Ni的AlN薄膜稀磁半导体的制备及磁性研究

• 作者: 熊娟 秦杰 钟伟明 顾豪爽
• 来源期刊: 湖北大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: Ni掺杂AlN 稀磁半导体 射频磁控溅射 室温铁磁性
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 物理学与电子技术
• 页码范围: 461-463
• 页数: 3页
• 分类号: TM303
• 字数: 1314字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射的方法制备掺Ni的AlN薄膜Al1-xNixN(x=0.021、0.047、0.064、0.082),薄膜样品沿AlN(100)晶向生长.利用振动样品磁强计研究其磁性能,发现样品在室温下均具有铁磁性,随Ni掺杂量的增加,饱和磁矩先减小后增大,最大矫顽力达104 Oe.结合X线光电子能谱分析,推断掺杂Ni原子进入AlN晶格取代了Al的位置,样品的铁磁性可以用Ni与相邻N原子之间的p-d杂化机制来解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾豪爽	湖北大学物理学与电子技术学院	86	386	10.0	14.0
2	熊娟	湖北大学物理学与电子技术学院	15	55	4.0	7.0
3	钟伟明	湖北大学物理学与电子技术学院	2	1	1.0	1.0
4	秦杰	湖北大学物理学与电子技术学院	3	2	1.0	1.0