Cd1-xMnxTe晶体衬底的红外透过性能

• 作者: 唐可 夏义本 张继军 施凌云 施朱斌 梁小燕 王林军 秦凯丰 闵嘉华 黄健
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 晶体生长 碲镉汞外延衬底 吸收边 红外透过率 退火
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 页码范围: 113-117
• 分类号: O433.5
• 字数: 4021字
• 语种: 中文

摘要

研究了生长态和退火后Cd1-xMnxTe晶片的吸收边和红外透过性能.Cd1-xMnxTe晶体采用垂直Bridgman法生长,获得面积为30 mm× 40 mm的(111)面Cd1-xMnxTe单晶片；晶片在Cd气氛下退火.近红外光谱表明,吸收边的截止波长反映晶片的Mn含量范围为0.1887≤x≤0.2039,其中轴向成分波动差值约为0.0152,径向成分波动差值约为0.0013；x=0.2的Cd1-xMnxTe晶体吸收边的吸收系数变化范围为2.5～55 cm-1；退火后,晶体的吸收边位置没有变化,表明晶片中Mn含量未受到退火的影响.傅里叶变换红外透射光谱表明,晶片在红外光波数为4000～500 cm -范围的红外透过率为45％ ～55％；退火后,晶片的红外透过率提高到61％以上,接近理论值65％.