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摘要:
采用硅平面外延工艺,选定集成电路芯片电性能参数指标,运用集成电路设计的原则,设计NPN型超高频小功率晶体管阵列.由6个完全一致的超高频小功率晶体管组成.外形封装可根据设计需要,用DIP14或DIP16等外壳封装,具有频率高、对称性好,体积小、质量轻的特点,可应用在放大电路、开关电路中.
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工艺流程
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 NPN型超高频小功率晶体管阵列的设计
来源期刊 北京信息科技大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 高频 晶体管 阵列
年,卷(期) 2012,(2) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 92-96
页数 分类号 TN431.1
字数 3231字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1674-6864.2012.02.018
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王宏伟 北京信息科技大学理学院 48 134 6.0 10.0
2 齐臣杰 北京信息科技大学理学院 14 37 3.0 6.0
3 张文凯 北京信息科技大学理学院 8 2 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
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2012(0)
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研究主题发展历程
节点文献
高频
晶体管
阵列
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
北京信息科技大学学报(自然科学版)
双月刊
1674-6864
11-5866/N
大16开
北京市
1986
chi
出版文献量(篇)
2043
总下载数(次)
10
总被引数(次)
11074
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