SiGe的BiCOMS技术的S波段低噪声放大器的设计

• 作者: 张浩 朱德政 李明 邓青
• 来源期刊: 现代雷达
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅 S波段 低噪声放大器 射极负反馈 电阻反馈 宽带
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 收/发技术
• 页码范围: 76-80
• 页数: 5页
• 分类号: TN956
• 字数: 542字
• 语种: 中文

摘要

文中介绍了一种基于锗硅BICMOS的宽带低噪声放大器的设计.此放大器工作在2.7 GHz ～ 3.5 GHz的频带,采用0.18 μm的锗硅工艺和cascode结构来增加其反向隔离度,并且使用了射极电阻负反馈和电阻并联反馈改善其带宽和线性度.仿真结果展示了其在通带范围内16.3 dB的增益和小于-10 dB的端口反射.此放大器噪声系数为2.8 dB左右,并使用5V电源电压.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李明		30	219	8.0	14.0
2	朱德政		3	0	0.0	0.0
3	邓青		6	3	1.0	1.0
4	张浩		9	3	1.0	1.0