金属栅/高k基FinFET研究进展

• 作者: 李越 王玫 肖志松 郑晓虎 黄安平
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: FinFET 高k介质 金属栅 界面态 等氧化层厚度 短沟道效应
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 775-780
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2012.12.002

摘要

对比传统的平面型晶体管,总结了三维立体结构FinFET器件的结构特性.结合MOS器件栅介质材料研究进展,分别从纯硅基、多晶硅/高k基以及金属栅/高k基三个阶段综述了Fin-FET器件的发展历程,分析了各阶段FinFET器件的材料特性及其在等比缩小时所面临的关键问题,并着重从延迟时间、可靠性和功耗三方面分析了金属栅/高k基FinFET应用于22 nm器件的性能优势.基于短沟道效应以及界面态对器件性能的影响,探讨了FinFET器件尺寸等比缩小可能产生的负面效应及其解决办法.分析了FinFET器件下一步可能的发展方向,主要为高迁移率沟道材料、立体型栅结构以及基于新原理的电子器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王玫	北京航空航天大学物理系	19	88	5.0	9.0
2	肖志松	北京航空航天大学物理系	17	119	6.0	10.0
3	黄安平	北京航空航天大学物理系	23	121	6.0	10.0
4	郑晓虎	北京航空航天大学物理系	5	54	4.0	5.0
5	李越	北京航空航天大学物理系	2	5	1.0	2.0