GaAs量子阱中退极化效应对光学整流的影响

• 作者: 彭飞
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非线性光学 光学整流 退极化效应 量子阱
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 非线性光学
• 页码范围: 597-601
• 分类号: O437|O482.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2012.05.014

摘要

用弛豫时间近似和紧致密度矩阵方法,在施加偏向电场的GaAs方量子阱中,研究了退极化场对光学整流的影响.结果表明,退极化场使共振峰的位置向高能方向发生移动.对应三个不同的偏向电场F=3×104 V/cm,4×104 V/cm,8×104 V/cm的共振峰的位置分别为hω=108.48 meV,108.92 meV,111.99 meV.共振峰位置的偏移量分别为5.96 meV、5.99 meV、6.28 meV,其偏移量随偏向电场的增大而略有增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭飞	南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室	7	4	1.0	1.0