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摘要:
本文介绍了塑性衬底上柔性微波单晶硅纳米薄膜 PIN 二极管的制备方法及其在不同工作状态下的射频特性,在二极管正向导通的条件下,从直流到20GHz 范围内,二极管在弯曲状态下的射频特性有显著的提高。为了研究相关机理,我们建立了多种状况下的二极管射频等效电路模型。模型表明,随着弯曲应力的变化,二极管内部电阻和寄生电感为影响其射频特性的主要因素,这对于合理设计及利用单晶硅薄膜二极管制作柔性单片微波集成系统有很大的指导意义。
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文献信息
篇名 基于新型转移技术的柔性单晶硅薄膜PIN二极管的射频特性与建模研究
来源期刊 新型工业化 学科 工学
关键词 柔性电子器件 单晶硅薄膜PIN二极管 等效电路模型 弯曲应力
年,卷(期) 2012,(5) 所属期刊栏目 研制与开发
研究方向 页码范围 47-54
页数 8页 分类号 TN389
字数 2383字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 秦国轩 天津大学电子信息工程学院 11 7 2.0 2.0
2 秦月辰 天津大学电子信息工程学院 1 1 1.0 1.0
3 袁浩之 美国威斯康辛大学麦迪逊分校 1 1 1.0 1.0
4 王玉信 3 1 1.0 1.0
5 马振强 美国威斯康辛大学麦迪逊分校 1 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
柔性电子器件
单晶硅薄膜PIN二极管
等效电路模型
弯曲应力
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
新型工业化
月刊
2095-6649
11-5947/TB
16开
北京石景山区鲁谷路35号1106室
2011
chi
出版文献量(篇)
2442
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8
总被引数(次)
5690
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