斜切基片上溅射生长高密度小尺寸Ge纳米点的研究

• 作者: 杨宇 杨杰 王茺 陶东平
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: Ge纳米点 离子束溅射 斜切基片
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1292-1294
• 页数: 3页
• 分类号: O484.1
• 字数: 904字
• 语种: 中文

摘要

采用离子束溅射技术,在斜切的单晶Si基底上生长了高密度的小尺寸Ge纳米点。系统研究了斜切基底上的表面台阶对Ge纳米点生长初期表面原子吸附行为的影响,以及斜切基片上Ge纳米点随原子沉积量的演变规律。实验结果表明,在斜切基片上原子级的表面台阶能有效地抑制吸附原子的表面扩散。因此,有利于Ge纳米点的形核,并抑制纳米点的过度长大,从而获得高密度、小尺寸的Ge纳米点。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	101	377	9.0	12.0
2	王茺	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	50	148	7.0	8.0
3	陶东平	昆明理工大学冶金与能源工程学院	42	223	8.0	14.0
4	杨杰		2	4	2.0	2.0