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摘要:
通过MP2/6-311G(d,p)方法,计算并得到了SiCl4锌还原各反应通道上各驻点的几何构型、振动频率和能量.根据密度泛函理论,采用广义密度梯度近似和总体能量平面波赝势方法结合周期性平板模型,研究了反应驻点在Si(l00)面上的吸附、解离及锌还原过程.结果表明,衬底硅参与SiCl4锌还原反应,SiCl4易在顶位吸附解离成SiCl3扣Cl;当硅基表面有Cl自由基吸附时,Zn或ZnCl更倾向于与Cl结合,而不是还原SiCln(1~3).
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文献信息
篇名 SiCl4锌还原异相反应机理的研究
来源期刊 昆明理工大学学报(自然科学版) 学科 化学
关键词 多晶硅 密度泛函理论 锌还原 反应机理
年,卷(期) 2012,(3) 所属期刊栏目 有色金属冶金科学与技术
研究方向 页码范围 13-18
页数 6页 分类号 O641
字数 2834字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-855x.2012.03.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 谢刚 云南冶金集团总公司技术中心 34 205 8.0 12.0
2 李荣兴 昆明理工大学冶金与能源工程学院 67 346 11.0 14.0
3 林艳 昆明理工大学冶金与能源工程学院 17 29 4.0 4.0
4 宋东明 昆明理工大学冶金与能源工程学院 7 33 3.0 5.0
5 崔焱 云南冶金集团总公司技术中心 3 3 1.0 1.0
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多晶硅
密度泛函理论
锌还原
反应机理
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期刊影响力
昆明理工大学学报(自然科学版)
双月刊
1007-855/X
53-1123/T
大16开
云南省昆明市呈贡区景明南路727号
64-79
1959
chi
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25009
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