沉积参数对ITO表面形貌及晶体结构的影响

• 作者: 祖成奎 赵华 邱阳 金杨利
• 来源期刊: 武汉理工大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ITO薄膜 表面形貌 晶体结构 基板温度 沉积速率
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 5-8
• 分类号: O484.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3963/j.issn.1671-4431.2012.10.002

摘要

利用离子辅助电子束蒸发技术在不同沉积工艺参数下制备了ITO薄膜,详细讨论了沉积工艺参数的变化对ITO薄膜表面形貌及晶体结构的影响.结果表明:随基板温度的升高,ITO薄膜的缺陷增多,表面粗糙度增大.高温下沉积的薄膜为多晶结构,并呈现[111]择优取向；随着沉积速率的升高,薄膜表面粗糙度变大,结晶度升高,晶粒尺寸增大,呈现出沿[001]取向择优生长的趋势,并且低速率下沉积的薄膜中包含除立方氧化铟外的其他晶相.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祖成奎		45	202	7.0	12.0
2	赵华		13	34	4.0	5.0
3	邱阳		11	30	4.0	5.0
4	金杨利		1	4	1.0	1.0