直接栅MOSFET静电场传感器温度漂移模型和模拟

• 作者: 何火军 鄢细根 陈新安
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 直接栅MOSFET 静电场传感器 温度漂移 载流子浓度 载流子迁移率
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: MEMS与传感器
• 页码范围: 113-117,128
• 分类号: TP212.1|TN386.1
• 字数: 2715字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2012.02.008

摘要

推导出了直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移系数,并研究了温度漂移的主要原因.此研究工作对消除直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移有一定的帮助.首先,建立了直接栅MOSFET静电场传感器沟道中电荷随温度变化的模型.其次,根据直接栅MOSFET沟道载流子浓度和载流子迁移率都为温度的函数,将直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移定义为由沟道载流子迁移率随温度变化引起的温度漂移系数αμ和由沟道载流子浓度随温度变化引起的温度漂移系数αQ,并对它们与温度的关系作了推导和研究.最后,对沟道载流子迁移率随温度变化引起的温度漂移系数αμ和由沟道载流子浓度随温度变化引起的温度漂移系数αQ进行了模拟和比较.模拟结果表明,温度漂移系数αμ远小于温度漂移系数αQ.因此沟道载流子浓度随温度变化是直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈新安		3	10	1.0	3.0
2	鄢细根		2	1	1.0	1.0
3	何火军		1	0	0.0	0.0