硅纳米管结构和电子性质的第一性原理研究

• 作者: 冉曾令 唐斌 张强 张智 罗强
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 第一性原理 硅纳米管 态密度 手性 能隙
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 152-155,191
• 分类号: O561|TB383
• 字数: 2706字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2012.03.003

摘要

基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似下,研究了(5,0)和(5,5)硅纳米管结构和电子性质.计算结果表明:(5,0)管硅原子相邻键长波动范围为0.068 nm,大于(5,5)管的0.006 nm；通过对(5,0)管的分波态密度进行分析发现,其3s电子和2p电子能量分布在- 13～3 eV,但2p电子集中分布在能量较高的-6～3 eV,出现了明显的sp3轨道杂化.同时对(5,0)和(5,5)硅纳米管最高占据轨道和最低未占据轨道的能隙进行了分析,发现两种管导电性能与结构的手性相关,锯齿型(5,0)管能带交叠具有明显的金属性,而扶手型(5,5)管能隙为0.151 eV是半导体纳米管.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐斌	西南石油大学理学院	30	133	6.0	10.0
2	张强	西南石油大学理学院	53	121	6.0	8.0
3	冉曾令	电子科技大学通信与信息工程学院	41	576	11.0	23.0
4	罗强	西南石油大学理学院	34	152	7.0	10.0
5	张智	西南石油大学油气藏地质及开发工程国家重点实验室	51	386	11.0	17.0