中国南车首家海外功率半导体研发中心落成

• 来源期刊: 中国集成电路
• 学科: 工学
• 关键词: 功率半导体 研发中心 海外 中国 装备制造企业 轨道交通 器件技术 交通装备
• 年，卷（期）: 2012,（9）
• 所属期刊栏目: 业界要闻
• 页码范围: 2-2
• 页数: 1页
• 分类号: TN303
• 字数: 1162字
• 语种: 中文

摘要

7月25日，中国南车株洲所首家海外功率半导体研发中心在英国顺利落成，这也是我国轨道交通装备制造企业首个海外高端器件研发中心。以IGBT为代表的功率半导体器件技术是轨道交通装备关键技术之一，被业界认为是现代机车车辆的“CPU”，它广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、新能源等行业。