3D-SIC中多链式可配置容错结构

• 作者: 兰方勇 刘军 方芳 王伟 董福弟 陈田
• 来源期刊: 电子测量与仪器学报
• 学科: 工学
• 关键词: 三维 过硅通孔 修复 容错
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 126-131
• 分类号: TP391.7
• 字数: 2821字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1187.2012.00126

摘要

三维(3-Dimension)芯片结构由于有着高密度、高速率、低功耗等优点而逐渐成为超大规模集成电路技术中的热门研究方向之一,在3D结构中通过使用硅通孔来连接垂直方向上的不同模块单元.但TSV在生产过程中会出现部分失效,导致整个芯片的失效.鉴于此,提出了多链式可配置容错结构,通过配置交叉开关单元,将TSV链与增加的冗余TSV导通的方法实现失效TSV的修复.实验表明整体修复率可以达到99％以上,同时面积开销和传输延迟也较低.