一种多链式结构的3D-SIC过硅通孔(TSV)容错方案

• 作者: 方芳 王伟 董福弟 陈田
• 来源期刊: 计算机工程与应用
• 学科: 工学
• 关键词: 三维(3D) 过硅通孔(TSV) 容错
• 年，卷（期）: 2012,（20）
• 所属期刊栏目: 研发、设计、测试
• 页码范围: 75-80
• 分类号: TP391.7
• 字数: 3160字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3778/j.issn.1002-8331.2012.20.016

摘要

三维(3-Dimensional,3D)电路由于其更高的密度、更高的传输速率及低功耗的优点逐渐受到人们的重视和研究,而硅通孔(Through Silicon Via,TSV)技术是三维电路中互联上下层不同模块的主要方法之一.然而由于制造工艺水平的限制,在芯片制作完成后会出现一些失效TSV,这些失效TSV会导致由其互联的模块失效甚至整个芯片的失效.提出了一种多链式的硅通孔容错方案,通过将多个TSV划分为一个TSV链,多个TSV链复用冗余TSV的方法修复失效TSV.通过相关实验显示,该方案在整体修复率达到90％以上的情况下可以较大地减少冗余TSV增加的个数和面积开销.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王伟	合肥工业大学计算机与信息学院	162	1275	18.0	27.0
2	方芳	合肥工业大学管理学院	34	197	8.0	13.0
3	陈田	合肥工业大学计算机与信息学院	18	99	7.0	9.0
4	董福弟	合肥工业大学计算机与信息学院	1	8	1.0	1.0