3D堆叠芯片硅通孔容错设计

• 作者: 张玲 梅军进 王伟征
• 来源期刊: 计算机工程与应用
• 学科: 工学
• 关键词: 3D堆叠芯片 硅通孔 容错技术
• 年，卷（期）: 2015,（14）
• 所属期刊栏目: 博士论坛
• 页码范围: 11-16
• 页数: 6页
• 分类号: TP306
• 字数: 5863字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3778/j.issn.1002-8331.1411-0049

摘要

3D堆叠芯片采用硅通孔（Through-Silicon Vias，TSVs）技术垂直连接多个裸晶（die），具有较高的芯片性能和较低的互连损耗，引起工业界和学术界的广泛关注。随着3D芯片堆叠层数的增加，一个TSV小故障都可能导致成本的大幅度增加和芯片良率的大幅度降低。TSV的密度与故障的发生概率有着密切的关系，TSV密度较大时，其发生故障的概率就会增大。为了减少故障产生的概率，提高良率，提出一种以密度为导向的TSV容错结构，首先将TSV平面分成多个密度区间，密度较大区间的信号TSV被分配较多的修复TSV，但同时此区间上设计尽量少的修复TSV，以减少此区间内总的TSV密度。理论分析和实验结果均表明该方法可以有效地减少故障发生的概率，并对故障TSV进行修补，同时具有较小的硬件代价。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张玲	湖北理工学院计算机学院	17	35	3.0	5.0
2	王伟征	长沙理工大学计算机与通信工程学院	16	38	4.0	4.0
3	梅军进	湖北理工学院计算机学院	7	26	3.0	5.0