3D堆叠封装硅通孔结构的电-热-结构耦合分析

• 作者: 于思佳 张元祥 沈志鹏 苏德淇 陈善圣
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 硅通孔 电-热-结构耦合分析 有限元法 电流密度 热应力
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 42-47
• 页数: 6页
• 分类号: TM277
• 字数: 3519字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.04.007

摘要

硅通孔(TSV)技术作为三维封装的关键技术,其可靠性问题受到广泛的关注.基于ANSYS平台,通过有限元方法,对3D堆叠封装的TSV模型进行了电-热-结构耦合分析,并进一步研究了不同的通孔直径、 通孔高度以及介质隔离层SiO2厚度对TSV通孔的电流密度、 温度场及热应力分布的影响.结果表明:在TSV/微凸点界面的拐角处存在较大的电流密度和等效应力,容易引起TSV结构的失效;增大通孔直径、 减小通孔长度可以提高TSV结构的电-热-机械可靠性;随着SiO2层厚度的增加,通孔的最大电流密度增大而最大等效应力减小,需要综合考虑合理选择SiO2层厚度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张元祥	衢州学院机械工程学院	21	41	5.0	5.0
2	于思佳	衢州学院机械工程学院	1	1	1.0	1.0
3	陈善圣	衢州学院机械工程学院	1	1	1.0	1.0
4	苏德淇	衢州学院机械工程学院	1	1	1.0	1.0
5	沈志鹏	衢州学院机械工程学院	1	1	1.0	1.0