低电压驱动微流控芯片二氧化硅绝缘薄膜的研究

• 作者: 吕宏峰 李杰超 闫卫平
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 二氧化硅 绝缘薄膜 低电压驱动 微流控芯片
• 年，卷（期）: 2012,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1204-1206,1211
• 页数: 4页
• 分类号: TQ127.2
• 字数: 1529字
• 语种: 中文

摘要

采用电子束蒸发法在玻璃基底上制备了二氧化硅薄膜,利用原子力显微镜（AFM）、台阶仪、X射线衍射仪（XRD）,分别对不同条件下制备的二氧化硅薄膜的表面形貌、膜厚、结构进行了表征,并采用金属/绝缘膜/金属（MIM）结构对薄膜的I-V电学特性进行了分析。结果表明玻璃基底温度在300℃条件下生长的4μm厚度的二氧化硅薄膜,其表面均匀平整,耐压能力〉200V,能够承受500kV/cm以上的场强,满足作为低电压驱动微流控芯片绝缘薄膜的要求,并在样品驱动的应用中得到验证。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫卫平	大连理工大学电子科学与技术学院	57	328	9.0	14.0
2	吕宏峰	大连理工大学电子科学与技术学院	2	3	1.0	1.0
3	李杰超	大连理工大学电子科学与技术学院	7	28	3.0	5.0