p-n结脉冲激光诱发电荷收集试验研究

• 作者: 史淑廷 安恒 把得东 曹洲 杨生胜 沈东军 田恺 薛玉雄 郭刚
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体p-n结 脉冲激光 电荷收集 单粒子效应
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 357-360
• 分类号: TN406
• 字数: 2500字
• 语种: 中文

摘要

测量了脉冲激光诱发半导体p-n结的瞬态脉冲电流,研究瞬态脉冲幅值和收集电荷与能量、偏压及入射位置的相关性.研究结果表明,瞬态脉冲信号幅值和收集到的总电荷随脉冲激光能量的增大而增多,与激光能量呈指数关系；收集电荷随偏压而增大;敏感区内的收集电荷数相差不大,远离敏感区的收集电荷明显减小.另外,将研究结果与重离子试验数据进行比对,两者有一定的相似性,但电荷收集脉冲幅值、脉冲波形有一定的差异.其结果为深入研究激光模拟单粒子效应技术奠定了基础.