基于增强密勒效应的IGBT串联有源均压新方法

• 作者: 罗洋 蒋燕 郑连清
• 来源期刊: 高压电器
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT 串联 附加电容 密勒效应 有源均压
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与分析
• 页码范围: 29-32,38
• 分类号: TM461.4
• 字数: 3110字
• 语种: 中文

摘要

为解决由器件驱动信号不一致引起的多个IGBT串联电压不均衡问题,以实现串联IGBT在大功率高电压场合中的应用,笔者结合功率侧和栅极侧IGBT串联均压辅助电路的优点,提出一种基于增强密勒效应的IGBT串联有源均压辅助电路,并对其工作原理进行了论述.然后,建立IGBT串联仿真电路,对不带和带该均压辅助电路两种情况进行仿真.仿真结果表明,该均压辅助电路在IGBT串联运行时不仅能够很好地抑制IGBT驱动信号不一致造成的电压不均衡,而且能够有效防止过电压的发生,确保了IGBT串联的安全运行.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋燕		23	154	7.0	11.0
2	郑连清	重庆大学电气工程学院	81	632	15.0	20.0
3	罗洋	重庆大学电气工程学院	8	53	4.0	7.0