原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
凭借着存储密度大和存储速率高的特点,基于NANDFlash的大容量存储器在星载存储领域得到了广泛的应用,由于NANDFlash本身存在缺陷,基于NANDFlash的大容量存储器在恶劣环境下的可靠性难以保证.提出了通过FPGA设计SRAM对关键数据三模冗余读取和缓冲、NANDFlash阵列热备份和数据的回放校验以及合理的坏块管理等措施,实现了高可靠性的大容量存储器.实验说明该系统不会因为外在偶然因素而造成数据的不完整,而且整个存储系统的成本开销相对于目前的星载存储器也非常低.
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文献信息
篇名 一种高可靠大容量星载存储器的设计与研究
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 NAND Flash 高可靠 大容量 存储器
年,卷(期) 2012,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 61-63,67
页数 分类号 TP202
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张伟功 首都师范大学北京市高可靠嵌入式系统工程技术研究中心 43 138 6.0 9.0
2 朱晓燕 首都师范大学北京市高可靠嵌入式系统工程技术研究中心 8 42 5.0 6.0
3 荣金叶 首都师范大学北京市高可靠嵌入式系统工程技术研究中心 3 10 2.0 3.0
4 邱庆林 首都师范大学北京市高可靠嵌入式系统工程技术研究中心 2 6 1.0 2.0
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Flash
高可靠
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存储器
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微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
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