飞兆半导体推出第二代XSTM DrMOS应用解决方案

• 来源期刊: 中国集成电路
• 学科: 工学
• 关键词: 飞兆半导体公司 第二代 功率MOSFET 应用 驱动器IC 肖特基二极管 同步降压 v4．0
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 业界要闻
• 页码范围: 5-5
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1119字
• 语种: 中文

摘要

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）最近推出第二代XSTM DrMOS系列FDMF6708N，这是经全面优化的紧凑型集成MOSFET解决方案加驱动器功率级解决方案，用于大电流、高频率同步降压DC—DC应用。FDMF6708N集成了一个驱动器IC、两个功率MOSFET和一个自举肖特基二极管，采用热性能增强型6x6mm。PQFNIntelDrMOSv4．0标准封装。