多空位缺陷和硼氮杂质对锯齿型石墨烯纳米带电子结构的影响

• 作者: 吴取劲 李丽华 肖建田 胡大胜 陈灵娜
• 来源期刊: 中南大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 锯齿型石墨烯纳米带 缺陷 掺杂 电子结构
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 机械工程·控制科学与工程
• 页码范围: 4361-4366
• 页数: 6页
• 分类号: O469
• 字数: 2106字
• 语种: 中文

摘要

利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究多空位缺陷和掺杂对对称性锯齿型石墨烯纳米带(ZGNRs)的电子结构的影响.研究结果表明,具有相同位置的多空位缺陷或氮掺杂的对称性ZGNR显示了半金属特性,而硼掺杂的对称性ZGNR显示了半导体性质.石墨烯纳米带的锯齿形边缘上和空位缺陷处都存在自旋极化的电子态,并且边缘上电子自旋呈反铁磁性排列.具有多空位缺陷的ZGNR磁矩依赖于带宽、空位缺陷的构型以及空位缺陷与边缘的距离,从而磁矩随着带宽的增加呈现震荡效应.这种特殊的缺陷和掺杂效应可用来设计新颖的自旋电子器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖建田	南华大学计算机科学与技术学院	18	23	3.0	3.0
2	胡大胜		8	38	3.0	6.0
3	李丽华	南华大学计算机科学与技术学院	9	20	2.0	4.0
4	吴取劲	南华大学计算机科学与技术学院	19	86	5.0	8.0
5	陈灵娜	南华大学计算机科学与技术学院	16	75	5.0	7.0