空位缺陷对锯齿型硅纳米带电子结构和磁性的影响

• 作者: 杨艳妮 王成
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅纳米带 空位缺陷 电子结构 第一性原理
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 页码范围: 931-936
• 页数: 6页
• 分类号: O474
• 字数: 3010字
• 语种: 中文

摘要

基于密度泛函理论,采用广义梯度近似下的第一性原理投影缀加波赝势方法,系统的研究了单空位(双空位)缺陷对锯齿型硅纳米带电子结构和磁性的影响.结果表明:不同位置的单原子空位(双原子空位)锯齿型硅纳米带,结构弛豫后,都能得到一个九边环(八边环),同类缺陷更容易在锯齿型硅纳米带的边缘区域形成;与完整的锯齿型硅纳米带相比,中心位置含空位缺陷(单原子或双原子空位)的锯齿型硅纳米带由原有的反铁磁半导体转变为反铁磁金属;非中心位置含空位缺陷(单原子或双原子空位)的锯齿型硅纳米带则具有铁磁态金属性, 在远离缺陷的纳米带边缘硅原子上局域的分布着差分电荷密度,这使得锯齿型硅纳米带在自旋电子学领域拥有可观的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨艳妮	西安医学院医学技术系	10	16	3.0	3.0
2	王成	西安医学院医学技术系	6	10	2.0	3.0