Na掺杂和空位对ZnO磁性及电子结构的影响

• 作者: 付斯年 朱瑞华 李聪 郑友进
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Na掺杂ZnO 第一性原理 形成能 电子结构
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 613-617,630
• 页数: 6页
• 分类号: O482.5
• 字数: 2270字
• 语种: 中文

摘要

通过第一性原理,对Na掺杂(NaZn)与Zn空位(VZn)及Na掺杂与O空位(VO)共存的ZnO体系的形成能、电子结构及磁性机理进行了研究.结果表明,Na原子与空位(VZn或VO)空间位置最近时,掺杂体系的形成能最低;与诱导VZn相比,Na掺杂在ZnO体系中更易诱导VO,并且过量的Na掺杂必然导致VO的形成.另外,磁性研究发现,Na掺杂与空位(VZn或VO)共存的体系都具有磁性.并且Na掺杂与VZn共存的ZnO体系磁性源于VZn的本征缺陷,而Na掺杂与VO共存的ZnO体系的磁性源于Na原子与VO的电子关联交互作用.