Zn空位缺陷ZnS的电子状态、磁性质与光学性质研究

• 作者: 孙毅 房慧 李凡生 王如志 郝五零 韦树贡 黄灿胜
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 材料 ZnS Zn空位缺陷 磁性 光学性质
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 507-512
• 页数: 6页
• 分类号: TN377|O474
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2018.04.019

摘要

基于密度泛函理论第一性原理,研究了Zn空位缺陷对ZnS半导体材料电子状态、磁性质和光学性质的影响.结果表明Zn空位缺陷浓度为6.25％时,ZnS半导体材料仍呈直接带隙型能带结构,带隙较本征ZnS半导体增大了6.4％,达到2.19 eV.缺陷体系s态、p态电子主要在距离费米能量较近的区域产生能带,数量较少;Znd态电子主要在距离费米能量较远的区域产生能带.Zn空位缺陷对ZnS半导体材料是一种空穴型掺杂,Zn空位会增加ZnS的空穴型载流子浓度.其价带空穴具有较大有效质量,导带电子具有较小有效质量,Zn空位缺陷ZnS不显示磁性.Zn空位缺陷ZnS半导体材料210 nm附近介电吸收峰强度降低, 170 nm附近介电吸收峰消失, 100 nm波长附近出现了较弱的介电吸收峰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王如志	北京工业大学材料科学与工程学院	48	136	6.0	10.0
2	孙毅	昌吉学院物理系	13	37	3.0	5.0
3	李凡生	广西民族师范学院物理与电子工程学院	41	60	4.0	6.0
4	房慧	广西民族师范学院物理与电子工程学院	26	22	2.0	4.0
5	韦树贡	广西民族师范学院物理与电子工程学院	11	11	2.0	2.0
6	黄灿胜	广西民族师范学院物理与电子工程学院	9	12	2.0	3.0
7	郝五零	云南师范大学数学学院	3	5	1.0	2.0