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摘要:
主要概述了目前集成电路由两维的平面集成向3维的立体集成转变过程中的主流和热点技术,包括后道封装制程中实现裸片堆叠、载体堆叠和封装体堆叠的TSV三维封装,以及前道晶圆制程中将传统的晶体管二维平面结构向三维立体结构的多栅晶体管过渡的创新技术。根据全球半导体联盟打造3D集成电路计划和目前应对垂直集成技术的工艺设备现状,展望了半导体垂直集成技术实现量产的前景。
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内容分析
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文献信息
篇名 垂直集成——延长摩尔定律的有效途径
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 摩尔定律 垂直集成 3DTSV 3D晶体管 多栅晶体管 量产解决方案
年,卷(期) 2012,(1) 所属期刊栏目 趋势与展望
研究方向 页码范围 1-7,32
页数 分类号 TN405.97
字数 7723字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-4507.2012.01.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 童志义 中国电子科技集团公司第四十五研究所 11 233 8.0 11.0
2 赵璋 中国电子科技集团公司第四十五研究所 1 13 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
摩尔定律
垂直集成
3DTSV
3D晶体管
多栅晶体管
量产解决方案
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
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31
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10002
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