半导体脉冲功率开关发展综述

• 作者: 余岳辉 梁琳
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体 开关 脉冲功率 重复频率
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 新型电力电子器件专辑
• 页码范围: 42-45
• 页数: 4页
• 分类号: TN31
• 字数: 2761字
• 语种: 中文

摘要

介绍了近年来半导体脉冲功率开关的发展和应用情况,具体包括反向开关晶体管(RSD)、半导体断路开关(SOS)、脉冲晶闸管、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和SiC-JFET.描述了专门用于脉冲功率领域的RSD和SOS开关的结构和工作原理,报道了国内外在脉冲晶闸管方面的工程研究及达到的参数,介绍了基于常见电力电子开关功率MOSFET和IGBT制成的脉冲功率装置,并简介了基于宽禁带半导体材料SiC制成的JFET器件的高温封装技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁琳	华中科技大学光学与电子信息学院	39	240	8.0	14.0
2	余岳辉	华中科技大学光学与电子信息学院	60	621	14.0	22.0