MEMS传感器敏感单元RTD的力敏特性优化

• 作者: 丁宇凯 刘俊 唐军 张斌珍 薛慧 郭浩
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: RTD 力电耦合 偏压灵敏度 台阶效应
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 物理类传感器
• 页码范围: 1361-1364
• 页数: 4页
• 分类号: TB303
• 字数: 2397字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2012.010.007

摘要

首先通过减小垒前阱的厚度消除了负阻区的“台阶区”,提高负阻区的阻值为-7.916Ω,并通过加压测试RTD(共振隧穿二极管)的力电耦合灵敏度,使其灵敏度由原来的5.5 mA/g增大到7 mA/g,优化了RTD作为MEMS传感器敏感单元的灵敏度,同时也通过增大RTD结构的台面积大小,有效的消除了负阻区的“台阶区”,并使其负阻区的阻值增大为-0.06 Ω,提高了MEMS传感器敏感单元RTD结构的灵敏度.