相变随机存储器存储材料及关键技术

• 作者: 何进 冯洁 宋志棠 王晓东 翟继卫 谢志峰
• 来源期刊: 中国科技成果
• 年，卷（期）: 2012,（19）
• 页码范围: 16-17
• 字数: 1947字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3772/j.issn.1009-5659.2012.19.005

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓东	中国科学院半导体研究所	198	1467	19.0	28.0
2	谢志峰		2	9	2.0	2.0
3	冯洁		41	268	10.0	15.0
4	宋志棠	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	51	197	8.0	12.0
5	何进	北京大学深圳研究生院	24	84	5.0	8.0
6	翟继卫		35	241	9.0	13.0